精品行业研究报告

第一章　芯片技术相关概述
1.1　芯片技术概念阐释
1.1.1　芯片技术概述
1.1.2　芯片架构概述
1.2　芯片技术相关介绍
1.2.1　芯片技术特性
1.2.2　芯片技术垄断
第二章　2022-2024年国内外芯片技术发展综况
2.1　全球芯片技术发展综述
2.1.1　全球芯片技术前沿
2.1.2　全球技术创新趋势
2.1.3　全球下一代芯片技术
2.2　中国芯片技术发展现状
2.2.1　芯片技术设备封锁
2.2.2　芯片技术突破创新
2.2.3　芯片技术发展制约
2.3　芯片技术专利申请状况
2.3.1　2023年芯片行业专利申请概况
2.3.2　2023年芯片行业专利技术构成
2.3.3　2023年芯片行业专利申请人分析
2.3.4　2023年芯片行业技术创新热点
第三章　2022-2024年芯片设计领域技术发展状况分析
3.1　中国芯片设计领域技术发展分析
3.1.1　技术基本流程
3.1.2　技术发展阶段
3.1.3　技术发展意义
3.1.4　技术参与主体
3.1.5　技术垄断优势
3.1.6　技术发展效益
3.2　芯片架构设计技术发展分析
3.2.1　技术设计原则
3.2.2　技术应用分类
3.2.3　技术支持工具
3.2.4　技术发展阶段
3.2.5　技术发展进程
3.2.6　技术发展意义
3.3　芯片EDA技术发展分析
3.3.1　技术发展历程
3.3.2　技术应用领域
3.3.3　技术发展意义
3.3.4　技术发展特点
3.3.5　技术发展进程
3.3.6　技术发展效益
第四章　2022-2024年芯片制造领域技术发展状况分析
4.1　中国芯片制造领域技术发展分析
4.1.1　技术发展历程
4.1.2　技术发展规律
4.1.3　技术发展逻辑
4.1.4　技术发展综况
4.1.5　技术发展进程
4.1.6　技术发展阻碍
4.2　晶圆制备技术发展分析
4.2.1　技术发展历程
4.2.2　技术发展阶段
4.2.3　技术发展意义
4.2.4　技术发展综况
4.2.5　技术发展进程
4.2.6　技术发展效益
4.3　氧化技术发展分析
4.3.1　技术的发展分类
4.3.2　技术发展意义
4.3.3　技术发展综况
4.3.4　技术应用发展
4.4　光刻技术发展分析
4.4.1　技术发展历程
4.4.2　技术发展阶段
4.4.3　技术发展意义
4.4.4　技术发展综况
4.4.5　技术发展进程
4.4.6　技术发展效益
第五章　2022-2024年芯片封装领域技术发展状况分析
5.1　中国芯片封装领域技术发展分析
5.1.1　技术发展历程
5.1.2　技术发展意义
5.1.3　技术发展综况
5.1.4　技术等级划分
5.1.5　技术功能作用
5.1.6　技术发展效益
5.2　先进封装技术发展分析
5.2.1　技术发展历程
5.2.2　技术发展重点
5.2.3　技术发展类型
5.2.4　技术发展进程
5.2.5　技术发展前沿
5.2.6　技术发展问题
5.2.7　技术发展方向
5.3　传统封装技术发展分析
5.3.1　技术发展历程
5.3.2　技术发展阶段
5.3.3　技术发展比较
5.3.4　技术发展综况
5.3.5　技术应用方向
5.3.6　技术发展效益
第六章　2022-2024年芯片测试领域技术发展状况分析
6.1　中国芯片测试领域技术发展分析
6.1.1　技术发展综况
6.1.2　技术阶段分类
6.1.3　技术发展意义
6.1.4　技术发展进程
6.1.5　技术发展阻碍
6.1.6　技术发展效益
6.2　测试机技术发展分析
6.2.1　技术发展历程
6.2.2　技术发展阶段
6.2.3　技术发展意义
6.2.4　技术发展综况
6.2.5　技术发展进程
6.2.6　技术发展效益
6.3　探针卡技术发展分析
6.3.1　技术发展综况
6.3.2　技术发展阶段
6.3.3　技术发展对比
6.3.4　技术发展进程
6.3.5　技术发展意义
6.3.6　技术发展效益
第七章　我国重点企业芯片技术战略部署
7.1　紫光国芯微电子股份有限公司
7.1.1　企业发展概况分析
7.1.2　紫光国微技术发展历程
7.1.3　紫光国微技术发展现状
7.1.4　紫光国微技术核心竞争力
7.1.5　紫光国微技术研发进程
7.1.6　紫光国微技术发展建议
7.1.7　紫光国微技术发展前景
7.2　中芯国际集成电路制造有限公司
7.2.1　企业发展概况分析
7.2.2　中芯国际技术发展历程
7.2.3　中芯国际技术发展现状
7.2.4　中芯国际技术核心竞争力
7.2.5　中芯国际技术研发进程
7.2.6　中芯国际技术发展建议
7.2.7　中芯国际技术发展前景
7.3　华虹半导体有限公司
7.3.1　企业发展概况分析
7.3.2　华虹半导体技术发展历程
7.3.3　华虹半导体技术发展现状
7.3.4　华虹半导体技术核心竞争力
7.3.5　华虹半导体技术研发进程
7.3.6　华虹半导体技术发展建议
7.3.7　华虹半导体技术发展前景
7.4　江苏长电科技股份有限公司
7.4.1　企业发展概况分析
7.4.2　长电科技技术发展历程
7.4.3　长电科技技术发展现状
7.4.4　长电科技技术核心竞争力
7.4.5　长电科技技术研发进程
7.4.6　长电科技技术发展建议
7.4.7　长电科技技术发展前景
第八章　芯片技术发展前景趋势预测
8.1　芯片分类别技术趋势
8.1.1　芯片技术发展趋势
8.1.2　逻辑技术发展趋势
8.1.3　存储技术发展趋势
8.1.4　集成技术发展趋势
8.2　芯片分步骤技术趋势
8.2.1　芯片设计技术发展趋势
8.2.2　芯片制造技术发展趋势
8.2.3　芯片封装技术发展趋势
8.2.4　芯片测试技术发展趋势

芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。截至2023年7月14日，芯片行业共2693110件专利。
半导体设计的创新领导力在多个行业产生创新，从而支持更广泛的经济增长和市场领导地位。芯片设计中，设计师要根据指令集进行微架构和核心设计，而微架构决定着芯片的性能、功耗和面积；而指令集的先进与否，也关系到CPU的性能发挥，因此是CPU性能体现的一个重要标志。芯片制造业演进的基本规律在于领域细分化、技术累积化和产出精品化；并且在现阶段，光刻、刻蚀、薄膜和掺杂氧化技术发展遇到了瓶颈，而封测技术正在试图成为未来发展的方向。
封装技术是半导体制造中不可或缺的一环，它可以提高半导体器件的性能和可靠性，同时也可以降低成本。随着科技的不断发展，封装技术的重要性也愈发突出。半导体检测根据使用的环节以及检测项目的不同，可分为前道检测和后道检测。其中，前道量测包括量测类和缺陷检测类，主要用于晶圆加工环节，目的是检查每一步制造工艺后晶圆产品的加工参数是否达到设计的要求或者存在影响良率的缺陷，属于物理性检测；后道测试根据功能的不同包括分选机、测试机、探针台，主要是用在晶圆加工之后、封装测试环节内，目的是检查芯片的性能是否符合要求，属于电性能检测。
中投产业研究院发布的《2023-2030年中国芯片技术发展潜力分析报告》共八章。首先，报告对芯片技术进行概述并总结国内外芯片技术发展现状；接着，报告对芯片设计、芯片制造、芯片封装、芯片测试四个领域技术发展状况进行分析；最后，报告分析了我国重点芯片企业技术战略部署，并科学的预测了芯片技术发展前景。
本研究报告数据主要来自于国家知识产权局、中投产业研究院、中投产业研究院市场调查中心以及国内外重点刊物等渠道，数据权威、详实、丰富。您或贵单位若想对芯片技术发展潜力有个系统深入的了解、或者想投资芯片相关产业，本报告将是您不可或缺的重要参考工具。

图表　2014-2023年芯片行业专利申请量、授权量及对应授权率数据表
图表　2014-2023年芯片行业专利申请量、授权量及对应授权率走势图
图表　2014-2023年芯片行业专利类型占比
图表　截至2023年芯片行业专利审查时长
图表　截至2023年芯片行业有效专利总量
图表　截至2023年芯片行业审中专利总量
图表　截至2023年芯片行业失效专利总量
图表　截至2023年芯片行业领域的专利在不同法律事件上的分布
图表　芯片行业生命周期
图表　2014-2023年芯片行业专利申请量与专利申请人数量
图表　截至2023年芯片行业专利申请中国省市分布
图表　截至2023年芯片行业专利申请在中国各省市申请量
图表　截至2023年芯片行业主要技术分支的专利分布
图表　2014-2023年芯片行业领域在主要技术分支的专利申请变化情况
图表　2014-2023年芯片行业领域各技术分支内领先申请人的分布情况
图表　截至2023年芯片行业功效矩阵
图表　截至2023年芯片行业领域申请人的专利量排名情况
图表　芯片行业专利集中度
图表　芯片行业领域在主要技术方向上的新入局者
图表　截至2023年芯片行业领域合作申请分析
图表　截至2023年芯片行业领域主要申请人技术分析
图表　2014-2023年芯片行业领域主要申请人逐年专利申请量
图表　截至2023年芯片行业创新热点
图表　截至2023年芯片行业领域热门技术专利量
图表　芯片设计流程
图表　现阶段市场芯片架构对比
图表　芯片EDA技术发展历程
图表　EDA对集成电路设计和制造环节形成支撑
图表　2000-2028年EDA技术可降低设计成本趋势
图表　全球主要晶圆厂制程节点技术路线
图表　8英寸和12英寸硅片发展历史
图表　衬底晶圆材料对应尺寸
图表　外延生长对应wafer尺寸
图表　不同晶圆尺寸发展历程
图表　衬底制备的基本步骤
图表　外延晶圆片结构示意图
图表　MBE与MOCVD技术对比
图表　不同晶圆制造工艺示意图
图表　FinFET工艺七大玩家进展
图表　氧化的种类
图表　自由基氧化的特点
图表　密勒指数（Miller indices）描述的硅原子排列
图表　氧化物在晶圆表面的保护作用
图表　干法氧化和湿法氧化
图表　晶圆表面图示
图表　扩散遮蔽层
图表　离子注入屏蔽氧化层
图表　STI工艺中的衬垫氧化层和阻挡氧化层
图表　光刻机技术发展进程
图表　光刻机参数对比
图表　光刻机工作原理
图表　光刻步骤图示
图表　光刻的主要流程
图表　封装外型图示
图表　封装方式发展历程图
图表　封装形式发展阶段细分
图表　BGA（ball grid array）封装技术
图表　COB（chip on board）封装技术
图表　DIP（dual in-line package）封装技术
图表　SDIP（shrink dual in-line package）封装技术
图表　flip-chip封装技术
图表　MCM（multi-chip module）封装技术
图表　QFP（quad flat package）封装技术
图表　BQFP（quad flat package with bumper）封装技术
图表　QFH（quad flat high package）封装技术
图表　CQFP（quad fiat package with guard ring）封装技术
图表　MQUAD（metal quad）封装技术
图表　Cerquad封装技术
图表　QFG（quad flat J-leaded package）封装技术
图表　QFN（quad flat non-leaded package）封装技术
图表　TCP（Tape Carrier Package）封装技术
图表　Tape Automated Bonding（TAB）封装技术
图表　PGA（pin grid array）封装技术
图表　LGA（land grid array）封装技术
图表　QUIP（quad in-line package）封装技术
图表　MFP（mini flat package）封装技术
图表　SIMM（single in-line memory module）封装技术
图表　DIMM（Dual Inline Memory Module）封装技术
图表　SIP（single in-line package）封装技术
图表　SMD（surface mount devices）封装技术
图表　SOJ（Small Out-Line J-Leaded Package）封装技术
图表　TO packageTO封装技术
图表　半导体芯片的封装等级
图表　半导体芯片封装示例
图表　半导体封装的作用
图表　先进封装技术的发展趋势图
图表　Bumping工艺示意图
图表　重布线层技术示意图
图表　硅中介层技术示意图
图表　硅通孔技术示意图
图表　传统封装与晶圆级别封装对比
图表　3DIC与2.5D封装对比
图表　系统级封装示意图
图表　Chiplet封装示意图
图表　长电科技封装项目
图表　华天科技封装技术项目
图表　富通微电封装技术项目
图表　Amkor封装解决方案
图表　芯片良率与芯片面积的关系
图表　芯片成本随工艺节点微缩递增
图表　典型芯粒产品
图表　TSV基本结构示意图
图表　台积电CoWoS封装技术路线
图表　赛灵思FPGA CoWoS封装
图表　CEA-Leti96核处理器集成技术
图表　英特尔Foveros技术
图表　片外存储从并排布局转为三维堆叠
图表　HBM架构和封装集成示意图
图表　台积电InFO SoW技术
图表　英伟达A100芯片与特斯拉Dojo训练Tile主要性能指标对比
图表　英特尔EMIB互连技术
图表　键合技术的演进
图表　AMD3D芯粒技术
图表　台积电SoIC-WoW混合键合技术
图表　先进封装技术两个发展方向
图表　传统封装技术演变
图表　传统封装技术简介
图表　先进封装与传统封装简单对比
图表　引线框架封装和基板封装的组装步骤
图表　晶圆背面研磨工艺的四个步骤
图表　通过刀片切割工艺将晶圆切割成芯片
图表　芯片贴装工艺
图表　芯片互连步骤示意图
图表　回流焊工艺的温度曲线
图表　封装技术的在不同硬件设备的应用方向
图表　IC测试基本原理模型
图表　CP测试系统示意图
图表　测试机发展历程
图表　CP测试系统示意图
图表　测试机分类及介绍
图表　光学检测技术、电子束检测技术和X光量测技术对比
图表　三种检测技术在检测环节的具体应用情况
图表　四类量测环节在产业链中的应
图表　探针卡分类状况
图表　细分类型探针卡交货期对比
图表　图探针卡结构示意图
图表　基于LTCC的MEMS探针卡的制作过程
图表　通过Au/Sn共晶键合转移到LTCC基板上的探针结构
图表　探针用陶瓷基板
图表　图晶圆测试示意图
图表　半导体晶圆测试的探针卡
图表　紫光国微发展历程
图表　紫光国微产品矩阵
图表　紫光国微技术发展历程
图表　紫光国微智能安全芯片主要产品
图表　紫光国微特种集成电路产品系列
图表　紫光国微FPGA产品系列
图表　中芯国际业务图
图表　中芯国际发展历程
图表　全球主要晶圆厂制程节点技术路线图
图表　中芯国际工艺平台及下游应用
图表　中芯国际逻辑工艺技术平台（成熟制程）
图表　中芯国际特色工艺技术平台
图表　制程升级伴随MOS结构的升级
图表　华虹半导体历史沿革
图表　华虹半导体工艺平台
图表　华虹半导体主要产品及服务变化情况
图表　华虹半导体主要工艺平台及具体情况
图表　华虹半导体主要核心技术平台情况
图表　华虹半导体主要在研项目具体情况
图表　长电科技主要业务情况
图表　长电科技下游主要应用领域及优势
图表　长电科技全球战略布局
图表　长电科技发展历史
图表　长电科技Chiplet平台及解决方案—XDFOITM
图表　截至2022年中国大陆头部封测公司主要封装产品对比
图表　长电科技在各封装领域的技术优势
图表　长电科技封装技术
图表　长电科技Chiplet技术路径
图表　先进制程与先进封装的技术迭代时间图
图表　后摩尔时代器件结构演变
图表　Fin FET与GAA NS器件结构剖面示意图
图表　底层纳米片串联电阻示意图
图表　PTS和BDI防止底部寄生管漏电问题示意图
图表　GAA NS器件与Forksheet器件的对比示意图
图表　GAA NS器件与Forksheet器件的N/P间距示意图
图表　CFET结构示意图
图表　CFET中上下层器件金属互连导致很大的通孔深宽比示意图
图表　单块集成CFET的典型集成方法
图表　顺序集成CFET的典型方法
图表　HBM示例图
图表　主流3D DRAM技术探索方向
图表　PCH单元解决电阻漂移问题
图表　基于垂直架构的三维相变存储器架构
图表　铁电存储器三维架构的两种实现方式
图表　垂直3D RRAM架构
图表　基于RRAM的神经网络计算技术示意图
图表　X-Cube示例图
图表　集成电路封装产业发展趋势
图表　中国集成电路封装产业前景预测