第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体材料。第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表。

　　随着“碳达峰、碳中和”战略的推进实施，绿色、低碳、清洁能源等技术将加速应用，第三代半导体材料作为实现高效电能转换技术的重要支撑获得快速发展。2022年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值141.7亿元，较2021年增长11.7%。2023年我国SiC、GaN电力电子产值规模达85.4亿元，GaN微波射频产值达70亿元，我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现市场规模155亿元。

　　2023年6月2日，工信部等五部门联合印发《制造业可靠性提升实施意见》提出重点提升电子整机装备用SoC/MCU/GPU等高端通用芯片、氮化镓/碳化硅等宽禁带半导体功率器件等电子元器件的可靠性水平，有力推动功率半导体器件产业发展。2023年8月，工业和信息化部发布《新产业标准化领航工程实施方案（2023-2035年）》，提到全面推进新兴产业标准体系建设，研制智能传感器、功率半导体器件、新型显示器件等基础器件标准。

　　2023年9月5日，为贯彻落实全省推动电子信息产业发展座谈会精神，加快第三代半导体、电子特种气体、新型显示、光伏、大数据等细分行业发展，推进制造强省建设，河北省人民政府办公厅印发《关于支持第三代半导体等5个细分行业发展的若干措施》。提出要支持设计研发验证；推动科技成果转化；打造京津冀集成电路产业集群；培育企业做强做优；支持重大项目建设；鼓励产品创新应用；支持举办行业活动；优化行业监管服务等八项措施支持第三代半导体产业发展。

　　我国第三代半导体技术和产业都取得较好进展，但在材料指标、器件性能等方面与国外先进水平仍存在一定差距，市场继续被国际巨头占据，国产化需求迫切。我国第三代半导体创新发展的时机已经成熟，处于重要窗口期。

　　中投产业研究院发布的《2024-2028年中国未来产业之第三代半导体行业趋势预测及投资机会研究报告》共十二章。首先介绍了第三代半导体行业的总体概况及全球行业发展形势，接着分析了中国第三代半导体行业发展环境、市场总体发展状况以及全国重要区域发展状况。然后分别对第三代半导体产业的产业链相关行业、行业重点企业的经营状况及行业项目案例投资进行了详尽的透析。最后，报告对第三代半导体行业进行了投资分析并对行业未来发展前景进行了科学的预测。

 

 

报告目录

第一章　第三代半导体相关概述

1.1　第三代半导体基本介绍

1.1.1　基础概念界定

1.1.2　主要材料简介

1.1.3　历代材料性能

1.1.4　产业发展意义

1.2　第三代半导体产业发展历程分析

1.2.1　材料发展历程

1.2.2　产业演进全景

1.2.3　产业转移路径

1.3　第三代半导体产业链构成及特点

1.3.1　产业链结构简介

1.3.2　产业链图谱分析

1.3.3　产业链生态体系

1.3.4　产业链体系分工

第二章　2022-2024年全球第三代半导体产业发展分析

2.1　2022-2024年全球第三代半导体产业运行状况

2.1.1　政府部署情况

2.1.2　市场发展规模

2.1.3　行业技术进展

2.1.4　企业竞争格局

2.1.5　区域竞争格局

2.1.6　行业竞争趋势

2.1.7　行业前景展望

2.2　美国

2.2.1　经费投入规模

2.2.2　产业技术优势

2.2.3　技术研究中心

2.2.4　国家支持基金

2.2.5　产线建设动态

2.2.6　战略层面部署

2.3　日本

2.3.1　产业发展计划

2.3.2　封装技术联盟

2.3.3　产业重视原因

2.3.4　技术领先状况

2.3.5　企业发展布局

2.3.6　国际合作动态

2.4　欧盟

2.4.1　企业布局情况

2.4.2　产业发展基础

2.4.3　前沿企业格局

2.4.4　未来发展热点

第三章　2022-2024年中国第三代半导体产业发展环境PEST分析

3.1　政策环境（Political）

3.1.1　中央部委政策支持

3.1.2　地方政府扶持政策

3.1.3　国家标准现行情况

3.1.4　中美贸易摩擦影响

3.2　经济环境（Economic）

3.2.1　宏观经济概况

3.2.2　工业运行情况

3.2.3　社会融资规模

3.2.4　宏观经济展望

3.3　社会环境（Social）

3.3.1　社会教育水平

3.3.2　知识专利水平

3.3.3　研发经费投入

3.3.4　技术人才储备

3.4　技术环境（Technological）

3.4.1　专利申请状况

3.4.2　科技计划专项

3.4.3　制造技术成熟

3.4.4　产业技术联盟

第四章　2022-2024年中国第三代半导体产业发展分析

4.1　中国第三代半导体产业发展特点

4.1.1　数字基建打开成长空间

4.1.2　背光市场空间逐步扩大

4.1.3　衬底和外延是关键环节

4.1.4　产业上升国家战略层面

4.1.5　产业链向国内转移明显

4.2　中国第三代半导体产业发展综述

4.2.1　产业发展现状

4.2.2　产业标准规范

4.2.3　国产替代状况

4.2.4　行业发展空间

4.3　2022-2024年中国第三代半导体市场运行状况分析

4.3.1　市场发展规模

4.3.2　产业企业布局

4.3.3　产业区域发展

4.3.4　市场供需分析

4.4　2022-2024年中国第三代半导体上游原材料市场发展分析

4.4.1　上游金属硅产能释放

4.4.2　上游氧化锌市场现状

4.4.3　上游材料产业链布局

4.4.4　上游材料竞争状况分析

4.5　中国第三代半导体产业发展问题分析

4.5.1　技术缺乏市场竞争力

4.5.2　基础研究能力欠缺

4.5.3　中试平台成本高

4.5.4　制造技术未完全成熟

4.6　中国第三代半导体产业发展建议及对策

4.6.1　加大研发支持力度

4.6.2　完善产业体系生态

4.6.3　加快技术成果转化

4.6.4　加强国际科技合作

第五章　2022-2024年第三代半导体氮化镓（GAN）材料及器件发展分析

5.1　GaN材料基本性质及制备工艺发展状况

5.1.1　GaN产业链条

5.1.2　GaN结构性能

5.1.3　GaN制备工艺

5.1.4　GaN材料类型

5.1.5　技术专利情况

5.1.6　技术发展趋势

5.2　GaN材料市场发展概况分析

5.2.1　项目建设动态

5.2.2　材料价格走势

5.2.3　材料技术水平

5.2.4　市场应用进展

5.2.5　应用市场预测

5.2.6　市场竞争状况

5.3　GaN器件及产品研发情况

5.3.1　器件产品类别

5.3.2　GaN晶体管

5.3.3　射频器件产品

5.3.4　电力电子器件

5.3.5　光电子器件

5.4　GaN器件应用领域及发展情况

5.4.1　电子电力器件应用

5.4.2　高频功率器件应用

5.4.3　应用实现条件与对策

5.5　GaN器件发展面临的挑战

5.5.1　器件技术难题

5.5.2　电源技术瓶颈

5.5.3　风险控制建议

第六章　2022-2024年第三代半导体碳化硅（SIC）材料及器件发展分析

6.1　SiC材料基本性质与制备技术发展状况

6.1.1　SiC性能特点

6.1.2　SiC制备工艺

6.1.3　SiC产品类型

6.1.4　单晶技术专利

6.1.5　技术难点分析

6.2　SiC材料市场发展概况分析

6.2.1　产业链条分析

6.2.2　材料市场规模

6.2.3　市场价格走势

6.2.4　市场供应分析

6.2.5　市场需求方分析

6.2.6　材料技术水平

6.2.7　市场龙头企业

6.3　SiC器件及产品研发情况

6.3.1　产品结构设计

6.3.2　电力电子器件

6.3.3　功率模块产品

6.3.4　器件产品布局

6.4　SiC器件应用领域及发展情况

6.4.1　SiC下游主要应用场景

6.4.2　SiC导电型器件应用

6.4.3　SiC半绝缘型器件应用

6.4.4　SiC新能源汽车领域应用

6.4.5　SiC充电桩领域应用

第七章　2022-2024年第三代半导体其他材料发展状况分析

7.1　Ⅲ族氮化物半导体材料发展分析

7.1.1　基础概念介绍

7.1.2　材料结构性能

7.1.3　材料制备工艺

7.1.4　主要器件产品

7.1.5　应用发展状况

7.1.6　发展建议对策

7.2　宽禁带氧化物半导体材料发展分析

7.2.1　基本概念介绍

7.2.2　材料结构性能

7.2.3　材料制备工艺

7.2.4　主要应用器件

7.3　氧化镓（Ga2O3）半导体材料发展分析

7.3.1　材料结构性能

7.3.2　材料应用优势

7.3.3　材料国外进展

7.3.4　国内技术进展

7.3.5　器件应用发展

7.3.6　未来发展前景

7.4　金刚石半导体材料发展分析

7.4.1　材料结构性能

7.4.2　材料研究背景

7.4.3　材料发展特点

7.4.4　主要器件产品

7.4.5　应用发展状况

7.4.6　国产替代机遇

7.4.7　材料发展难点

第八章　2022-2024年第三代半导体下游应用领域发展分析

8.1　第三代半导体下游产业应用领域发展概况

8.1.1　下游应用产业分布

8.1.2　下游产业优势特点

8.1.3　下游产业需求旺盛

8.2　2022-2024年电力电子领域发展状况

8.2.1　全球市场发展规模

8.2.2　全球应用市场占比

8.2.3　国内市场发展规模

8.2.4　国内器件应用分布

8.2.5　器件发展趋势分析

8.3　2022-2024年微波射频领域发展状况

8.3.1　射频器件市场规模

8.3.2　射频市场竞争分析

8.3.3　射频器件市场需求

8.3.4　国防基站应用分析

8.3.5　射频器件发展趋势

8.4　2022-2024年半导体照明领域发展状况

8.4.1　发展政策支持

8.4.2　产业链分析

8.4.3　LED芯片发展

8.4.4　项目建设动态

8.4.5　企业竞争格局

8.5　2022-2024年半导体激光器发展状况

8.5.1　产业链发展现状

8.5.2　企业发展格局

8.5.3　产品结构分析

8.5.4　主要技术分析

8.5.5　国产化趋势

8.6　2022-2024年5G新基建领域发展状况

8.6.1　5G产业发展进程

8.6.2　行业投融资状况

8.6.3　5G助推材料发展

8.6.4　材料应用发展方向

8.6.5　产业投资发展展望

8.7　2022-2024年新能源汽车领域发展状况

8.7.1　新能源汽车整体产销规模

8.7.2　新能源汽车板块企业动态

8.7.3　新能源汽车市场集中度

8.7.4　充电基础设施运行情况

8.7.5　设施与汽车的对比情况

第九章　2022-2024年第三代半导体材料产业区域发展分析

9.1　2022-2024年第三代半导体产业区域发展概况

9.1.1　产业区域分布

9.1.2　区域建设回顾

9.2　京津翼地区第三代半导体产业发展分析

9.2.1　北京产业发展状况

9.2.2　顺义产业发展情况

9.2.3　保定产业发展情况

9.2.4　应用联合创新基地

9.2.5　区域未来发展趋势

9.3　中西部地区第三代半导体产业发展分析

9.3.1　成都产业发展状况

9.3.2　重庆产业发展状况

9.3.3　西安产业发展状况

9.4　珠三角地区第三代半导体产业发展分析

9.4.1　广东产业发展状况

9.4.2　广州产业发展动态

9.4.3　深圳产业发展动态

9.4.4　东莞产业发展状况

9.4.5　区域未来发展趋势

9.5　华东地区第三代半导体产业发展分析

9.5.1　江苏产业发展概况

9.5.2　苏州工业园区发展

9.5.3　山东产业发展规划

9.5.4　厦门产业发展状况

9.5.5　区域未来发展趋势

9.6　第三代半导体产业区域发展建议

9.6.1　提高资源整合效率

9.6.2　补足SiC领域短板

9.6.3　开展关键技术研发

9.6.4　鼓励地方加大投入

第十章　2021-2024年第三代半导体产业重点企业经营状况分析

10.1　三安光电股份有限公司

10.1.1　企业发展概况

10.1.2　企业业务布局

10.1.3　经营效益分析

10.1.4　业务经营分析

10.1.5　财务状况分析

10.1.6　核心竞争力分析

10.2　闻泰科技股份有限公司

10.2.1　企业发展概况

10.2.2　企业业务布局

10.2.3　经营效益分析

10.2.4　业务经营分析

10.2.5　财务状况分析

10.2.6　核心竞争力分析

10.3　北京赛微电子股份有限公司

10.3.1　企业发展概况

10.3.2　企业业务布局

10.3.3　经营效益分析

10.3.4　业务经营分析

10.3.5　财务状况分析

10.3.6　核心竞争力分析

10.4　厦门乾照光电股份有限公司

10.4.1　企业发展概况

10.4.2　企业业务布局

10.4.3　经营效益分析

10.4.4　业务经营分析

10.4.5　财务状况分析

10.4.6　核心竞争力分析

10.5　湖北台基半导体股份有限公司

10.5.1　企业发展概况

10.5.2　企业业务布局

10.5.3　经营效益分析

10.5.4　业务经营分析

10.5.5　财务状况分析

10.5.6　核心竞争力分析

10.6　京东方华灿光电股份有限公司

10.6.1　企业发展概况

10.6.2　企业业务布局

10.6.3　经营效益分析

10.6.4　业务经营分析

10.6.5　财务状况分析

10.6.6　核心竞争力分析

10.7　株洲中车时代电气股份有限公司

10.7.1　企业发展概况

10.7.2　企业业务布局

10.7.3　经营效益分析

10.7.4　业务经营分析

10.7.5　财务状况分析

10.7.6　核心竞争力分析

第十一章　中投顾问对第三代半导体产业投资价值综合评估

11.1　行业投资背景

11.1.1　行业投资规模

11.1.2　投资市场周期

11.1.3　行业投资价值

11.2　行业投融资情况

11.2.1　国际投资案例

11.2.2　国内投资项目

11.2.3　国际企业并购

11.2.4　国内企业并购

11.2.5　企业融资动态

11.3　行业投资壁垒

11.3.1　技术壁垒

11.3.2　资金壁垒

11.3.3　贸易壁垒

11.4　行业投资风险

11.4.1　企业经营风险

11.4.2　技术迭代风险

11.4.3　行业竞争风险

11.4.4　产业政策变化风险

11.5　行业投资建议

11.5.1　积极把握5G通讯市场机遇

11.5.2　收购企业实现关键技术突破

11.5.3　关注新能源汽车催生需求

11.5.4　国内企业向IDM模式转型

11.5.5　加强高校与科研院所合作

11.6　投资项目案例

11.6.1　项目基本概述

11.6.2　项目建设必要性

11.6.3　项目建设可行性

11.6.4　项目投资概算

11.6.5　项目建设周期

11.6.6　项目经济效益

第十二章　2024-2028年中投顾问对第三代半导体产业前景与趋势预测

12.1　第三代半导体未来发展趋势

12.1.1　产业成本趋势

12.1.2　未来发展趋势

12.1.3　应用领域趋势

12.2　第三代半导体未来发展前景

12.2.1　重要发展窗口期

12.2.2　产业应用前景

12.2.3　产业发展机遇

12.2.4　产业市场机遇

12.2.5　产业发展展望

12.3　中投顾问对2024-2028年中国第三代半导体行业预测分析

12.3.1　中投顾问对中国第三代半导体行业发展驱动五力模型分析

12.3.2　2024-2028年中国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值预测